凈化工程潔凈室的溫濕度主要是根據您的加工工藝要求來確定，在符合加工工藝的條件下，應先應該考慮人的感受。隨著空氣潔凈度要求的提高，工藝對溫濕度的要求也越來越高，達到溫濕度要求。例如在大規(guī)模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以要有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜高于25度。
　　濕度過高會產生的問題也很多。相對濕度大于55%時，凈化工程冷卻水管壁上會結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起許多事故。相對濕度在50%時易生銹。凈化工程要控制溫濕度具體有什么措施？
　　然而對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：
　　1.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。
　　2.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。
　　3.潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。
　　壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的不同縫隙時的阻力。
　　對于亂流潔凈室由于主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的程度，所以主要用換氣次數(shù)標準，而不直接用速度的標注，不過對室內氣流速度也有如下要求：
　　1.送風口出口氣流速度不宜太大，和單純空調房間相比，要求速度衰減快，擴散角度大。
　　2.吹過水平面的氣流速度（例如側送時回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成再污染，這一速度一般不宜大干0.2m/s。
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